장비

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장비이름: [Thin film]PECVD
? Use : Silicon dioxide and silicon nitride
? Wafer size : 6 inch wafer
? Product wafer : Single wafer process
? Substrate temperature : RT ~ 400°C
? Ultimate pressure : ?5x10-6 Torr
? Source Process : SiH4, N2O, NH3, CF4
? RF generators : 13.56MHz and 400KHz
? Gas : line and cabinet installation with safety parts (automatic control)
? Scrubber : burn and wet type installation

장비이름: [Thin film]RF Sputtering System
? Source : RF 0.6kW (3 set)
? Main pressure : 7 ×10-7 torr
? Process pressure : 3×10-3 torr
? Target size : 3"
? Deposition temperature : 400 ℃ max.
? Chamber : Main & Loadlock
? Control type : Auto/PC Programmable
? Substrate : Max. 3" (from piece)

장비이름: [Thin film] DC Sputtering System
1. Process
? Thin film co-sputtering deposition
? Deposition metal : Metal, Al, W, Pt, Etc
? Substrate Size : 4 inch single wafer

2.Depostion method
? Magnetron sputtering deposition : 3 inch target
? Dc power : 0 ~ 1,000 W
? Source gas : Ar

3.Performance
? Base pressure : 8 x 10E-7 torr
? Throughput : 1 sheet/ batch
? Thickness uniformity : ≤± 3%
? Manual operation by PLC

장비이름: [Lithography]Spin Coater
? Substrate Size : Piece∼4" wafer
? Chuck rotation speed : 100∼8000rpm
? DC Servo Motor Spin state : 50Step, 20Recipe(Digital Program Type
? Time : 1∼999sec
? Variable Bowl size : 8inch, Al, SUS, Teflon, PP, etc
? Vacuum chuck : anodized Al, Acetal, Teflon, etc
? Electrical Power : 220V, 5A
? Dimension(mm) : 230×340×160
? Oilless Vac & pressure : -650mmHg

장비이름: [Epitaxy]MOCVD
? Wafer size : 2 inch x 6장
? 증착물질 : GaN, InGaN, AlGaN, AlN, BN 등의 nitride계 화합물 반도체
? 박막의 두께 균일도 : 2% 이내
? 성장 방법 : MO source와 암모니아를 이용하여 약 1300도 이하에서 성장
? Susceptor (chamber 내 홀더) : 0 ~ 200 RPM 회전
- Emissivity corrected pyrometry at 950nm
? Scurbber
- 용도 : Toxic gas 처리 장치
- 약 650도에서 Burn 방식으로 처리
? H2 purifier system
- 용도 : 초고순도 수소 정제기 시스템
- Getter filter를 이용한 1차, 2차 수소 정제기와 PD cell을 이용한 3차 수소 정제기로 구성
- 99.9999% 이상의 수소 순도 유지
- Hygrometer : 약 ?90도 이하 유지