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전체게시물 총 60건

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LED Test System
장비이름
[Measurement & Analysis]LED Test System
? Wavelength Range : 380 ~ 780nm
? Optional Wavelength : consult factory
? Wavelength Accuracy : ±0.5nm
? Optical Bandwidth (with 100 micron slit) : 2.0nm
? Spectral resolution : 100 micron (Standard), 50 & 200 micron (optional)
? Optical focal length : 140nm
? Optical Aperture : f/2
? Operating Temperature : 0 to 40°C
? Spatial Radiation Angle : 0 ~ ±90°
? Optical Probe : 0.01sr (100mm), 0/001sr (316mm)
? Current : 0 ~ 3A
? Voltage : 0 ~ 60V
? SMD LED Chip Probe Station Maximum Luminous Flux : 80 lm
  • 제작사 Optronic Laboratories
  • 모델명 OL770 UV/VIS
  • 도입연도 2004-03
  • 용도 LED의 광출력, 지향각, 광색도, 발광파장, 구동전압 등 특성을 평가함. LED 램프뿐만 아니라 LED 칩을 프로빙하여 측정
FE-SEM
장비이름
[Measurement & Analysis]FE-SEM
? Resolution :
- 1.5 (at accelerating voltage of 15kV Working distance of 5mm)
- 5.0 (at accelerating voltage of 1kV Working distance of 5mm)
? Magnification : -20x to 500000x
? Electron Optics
- Electron gun : Cold-cathode field emission electron gun (ZrO/W)
- Emission extracting voltage(Vext) : 0 to 6.5 kV
- Schottky emission source Accelerating voltage (Vacc) : 0.5 to 30kV (in increment of 0.1kV/step)
- Lens system : Electromagnetic lens reduction system
- Objective lens aperture : Movable self-cleaning type thin aperture
? Specimen Size : 120 ~ 160 mm dia
  • 제작사 Hitachi
  • 모델명 S-4300 SE
  • 도입연도 2004-01
  • 용도 반도체소자를 포함한 여러 물질의 표면형태 분석과 부속장치를 이용한 Cathodoluminescence 측정 및 Lithography 공정
Electrochemical CV Profiler
장비이름
[Measurement & Analysis]Electrochemical CV Profiler
? Carrier Concentration : 10E13 ~ 10E-3cm-3
? Type : n- and p- type
? Material : GaN, GaAs, InP, Si
? Sealing ring size
- the large ring : 3.5mm diameter (normally 0.1cm2)
- the small ring : 1mm diameter (normally 0.01cm2)
? Desiding on ring size
- the large ring : At higher carrier concentration (above 5E18cm-3)
- the small ring : carrier concentration (1E13 to 1E20cm-3)
  • 제작사 Accent Optical Technologies
  • 모델명 PN4300
  • 도입연도 2004-12
  • 용도 반도체 기판을 식각하면서 반도체 표면으로부터 깊이에 따른 도핑농도를 분석
Ion sputter (SEM)
장비이름
[Measurement & Analysis]Ion sputter (SEM)
? Discharge Mode : Diode discharge
- Discharge Electrode : ring (63mm diameter)
- Discharge Voltage :DC 2.5kV 0.5kV
- Discharge Current : DC 0 to 30mA
? Standard target : Pt
? Coating rate (Maximum)
- Pt : 6nm/min
? Specimen
- Max dia : 50mm
- Max height : 15mm
  • 제작사 Hitachi
  • 모델명 E1010/E1020
  • 도입연도 2005-11
  • 용도 SEM 측정 시 측정 물질의 특성 때문에 측정이 되지 않는 것을 대비하여 측정물질을 볼 수 있게 도와주기 위해 특정 물질을 증착
PECVD
장비이름
[Thin film]PECVD
? Use : Silicon dioxide and silicon nitride
? Wafer size : 6 inch wafer
? Product wafer : Single wafer process
? Substrate temperature : RT ~ 400°C
? Ultimate pressure : ?5x10-6 Torr
? Source Process : SiH4, N2O, CF4
? RF generators : 13.56MHz and 400KHz
? Gas : line and cabinet installation with safety parts (automatic control)
? Scrubber : burn and wet type installation
  • 제작사 Bmr Technology
  • 모델명 HiDep
  • 도입연도 2005-02
  • 용도 강한 전압으로 야기된 Plasma를 이용하여 반응물질을 활성화 시켜서 기상으로 증착
E-beam Evaporator
장비이름
[Thin film]E-beam Evaporator
? Process Chamber : Stainless steel
? Sample Size : 4inch ~
? Vacuum Gauge Controller : ATM ~ 1.0E-10Torr
? Power Supply Unit : 6kW, 8kW, 10kW
? Crucible Size : 4cc, 7cc, 15cc, 25cc
? Pocket Number : Single, 4, 6
? Film Thickness Uniformity : < ±5%
? Ultimate Pressure : < 5.0E-7Torr
? Metals : Ti, Pt, Ni, Cr, Au, Ag, Zn 등
  • 제작사 Korea Vacuum Tech
  • 모델명 KVE-E2000
  • 도입연도 2005-02
  • 용도 Cryo pump와 Rotary를 사용하여 2x10-7Torr 이하의 Base Pressure에서 Evaporator process를 하는 장비