Deep Etcher

? 사용용도 : 화합물 반도체 및 그 응용분야
? Wafer 규격 : 조각 wafer에서 8 inch까지
? 기판 냉각 온도 : 35°C 이하
? Chuck 냉각 방식 : Chiler 및 He 냉각
? Chamber 내 기본 진공도 : ?1x10-5 Torr
? 고진공 Pump 장치 및 용량 : 자기 부상형 Turbo Molecular Pump ? 1300 liter/s 이상
? 저진공 Pump 방식 : 건식 방식 Pump 50 CFM 이상
? 사용 가스 : Ar, O2, CF4, HBr, CHF3, BCl3, SF6, N2
? ICP source power : RF 방식 1.25kW 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto matching)
? Chuck bias power : RF 방식 600W 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto matching)

1) Wafer : 2“ ~ 8”
2) Chuck 냉각 방식 : Chiller 및 He 냉각
3) Chamber 내 기본 진공도: <1×10-5 Torr
4) 고진공 Pump 장치 : 자기 부상형 Turbo Molecular Pump
5) 사용 가스 : Ar O2 CF4 HBr BCl3 SF6 N2
6) ICP source power : RF 방식 1.25kW 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto-matching)
7) Chuck bias power : RF 방식 600W 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto matching)
8) RF matching network : 자동 조절 기능
9) Process 자동 조절 기능
10) Loadlock 에서 Process chamber 로 시편을 자동 이송
11) 열방출 광학계를 이용한 플라즈마 분석장비
- 실시간 data 수집기능 이 가능한 고감도 CCD array 장착
- EPD(end point detector) algorithm
- EOP를 이용한 경고 알림 기능
- 여러 파장대 분석 기능
- 파장 범위 : 200 ~ 850nm

? 사용용도 : 화합물 반도체 및 그 응용분야
? Wafer 규격 : 조각 wafer에서 8 inch까지
? 기판 냉각 온도 : 30°C 이하
? Chuck 냉각 방식 : Chiler 및 He 냉각
? Chamber 내 기본 진공도 : ?1x10-5 Torr
? 고진공 Pump 장치 및 용량 : 자기 부상형 Turbo Molecular Pump ? 1300 liter/s 이상
? 저진공 Pump 방식 : 건식 방식 Pump 50 CFM 이상
? 사용 가스 : Ar, O2, CF4, Cl2, BCl3, N2
? ICP source power : RF 방식 1.25kW 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto matching)
? Chuck bias power : RF 방식 600W 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto matching)