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전체게시물 총 60건

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Tuner Set
장비이름
[Measurement & Analysis]Tuner Set

1) Automatic Load Pull Tuner
- Frequency range : 0.8 to 18GHz
- Matching range : 10:1 minimum
- VSWR (Max.) : 1.05:1
- Insertion loss (Max) : 0.5dB
- Power Handling : 50 watts CW 0.5kW peak
- Connector type : 7mm

2) USB Automated Tuner Controller
- Automated control system
- USB Tuners : Maximum of 4 USB controlled microwave tuners
- USB Interface : 1.1 and 2.0 compatible
- Power Requirements : 100 to 264 VAC 47 to 63 Hz 3A
- Output Power : +5 Vdc at 5 Amps and +24 Vdc at 3.4 Amps
- USB Power : +5 Vdc at 500mA per port. (With MT1020B connected to an AC power source and with the MT1020B power switch set to the ON position.)
  • 제작사 Agilent Technologies
  • 모델명 Tuner Set
  • 도입연도 20070412
ICP/RIE
장비이름
[Etching]ICP/RIE
? 사용용도 : 화합물 반도체 및 그 응용분야
? Wafer 규격 : 조각 wafer에서 8 inch까지
? 기판 냉각 온도 : 35°C 이하
? Chuck 냉각 방식 : Chiler 및 He 냉각
? Chamber 내 기본 진공도 : ?1x10-5 Torr
? 고진공 Pump 장치 및 용량 : 자기 부상형 Turbo Molecular Pump ? 1300 liter/s 이상
? 저진공 Pump 방식 : 건식 방식 Pump 50 CFM 이상
? 사용 가스 : Ar, O2, CF4, HBr, CHF3, BCl3, SF6, N2
? ICP source power : RF 방식 1.25kW 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto matching)
? Chuck bias power : RF 방식 600W 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto matching)
  • 제작사 Plasma Therm
  • 모델명 Unaxis770
  • 도입연도 200502
  • 용도 플라즈마를 이용해 Chemical 과 Physical 방식을 혼합하여 사용하는 건식 식각을 하며 Anisotropic과 Selectivity, Etch Rate의 특성을 선택적으로 고를 수 있음
ICP/RIE for Fluorine
장비이름
[Etching]ICP/RIE for Fluorine
1) Wafer : 2“ ~ 8”
2) Chuck 냉각 방식 : Chiller 및 He 냉각
3) Chamber 내 기본 진공도: <1×10-5 Torr
4) 고진공 Pump 장치 : 자기 부상형 Turbo Molecular Pump
5) 사용 가스 : Ar O2 CF4 HBr BCl3 SF6 N2
6) ICP source power : RF 방식 1.25kW 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto-matching)
7) Chuck bias power : RF 방식 600W 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto matching)
8) RF matching network : 자동 조절 기능
9) Process 자동 조절 기능
10) Loadlock 에서 Process chamber 로 시편을 자동 이송
11) 열방출 광학계를 이용한 플라즈마 분석장비
- 실시간 data 수집기능 이 가능한 고감도 CCD array 장착
- EPD(end point detector) algorithm
- EOP를 이용한 경고 알림 기능
- 여러 파장대 분석 기능
- 파장 범위 : 200 ~ 850nm
  • 제작사 소로나
  • 모델명 T306-014
  • 도입연도 20070324
  • 용도 플라즈마를 이용해 Chemical 과 Physical 방식을 혼합하여 사용하는 건식 식각을 하며 Anisotropic과 Selectivity, Etch Rate의 특성을 선택적으로 고를 수 있음
ICP-RIE(CL)
장비이름
[Etching]ICP-RIE(CL)
? 사용용도 : 화합물 반도체 및 그 응용분야
? Wafer 규격 : 조각 wafer에서 8 inch까지
? 기판 냉각 온도 : 30°C 이하
? Chuck 냉각 방식 : Chiler 및 He 냉각
? Chamber 내 기본 진공도 : ?1x10-5 Torr
? 고진공 Pump 장치 및 용량 : 자기 부상형 Turbo Molecular Pump ? 1300 liter/s 이상
? 저진공 Pump 방식 : 건식 방식 Pump 50 CFM 이상
? 사용 가스 : Ar, O2, CF4, Cl2, BCl3, N2
? ICP source power : RF 방식 1.25kW 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto matching)
? Chuck bias power : RF 방식 600W 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto matching)
  • 제작사 TE-3100
  • 모델명 TE-3100
  • 도입연도 2016
  • 용도 플라즈마를 이용해 Chemical 과 Physical 방식을 혼합하여 사용하는 건식 식각을 하며 Anisotropic과 Selectivity, Etch Rate의 특성을 선택적으로 고를 수 있음
CMP
장비이름
[후공정]CMP
? Polishing Plate(table)
-Plate : 18inch dia Stainless steel Ø457×Ø160 x 45mmt
-평면도 : 0 - 3um 이내 ,Run out : 10um 이내
-Plate R.P.M. : 20 ~ 150 R.P.M
-Water Cooling Plate System
? Polishing Head (Vacuum type)
-Diameter : ø165
-Material : Stainless steel
-Speed : 10 - 80rpm
-Pressure : 5-300gram/cm2 for 4" & 6" wafer variable air pressure eletronic controller
? Process : 5 step process (rpm, pressure, time, slurry ,DI )
-Multi recipe : 10 recipe process
-Ceramic work carrier 4" & 6" wafer
? Slurry pump
-pump : roller pump
-Nozzles : Silicone tube
-Flow Rate : Max 50 ml/min , Slurry tube post
? New type Oscillation (Bridge type )
-Bridge type Oscillation and Diamond dressing system
-Nylon Brush for Pad Cleaning and Di Water Rinse
-Diameter : ø180mm ( 0.5mm brush, 10mm )
-R.P.M. : 10 - 80
-Dressing Mode By Recipe : table rpm, head rpm, di ,weight ,time
? Control
-Control : Touth & PLC + Programma
? Main
-Main Motor Drive : 2.2kW, 220V, 3 P
-Slow Start & Slow Stop Function
-Machine Weight : 1,600Kg
-Machine Dimension(W×D×H) : 1,100ⅹ1,600ⅹ2,000mmh
  • 제작사 PNS International
  • 모델명 PSPM1821-A
  • 도입연도 2021.02.22
Wire Bonder
장비이름
[후공정]Wire Bonder
1) Ball-Type Wire Bonder
- 본딩 영역 : 152 ×152 mm (6" x 6")
- 트렌스듀서 깊이 : 143 mm (5.6")
- 테이블 총이동 영역 : 140 mm (5.5")
- 세부 테이블 이동 영역 : 14 mm (0.55")
- Mouse 대 table 움직임 비율 : 6:1
- Z 축 조정 시스템 : DC servo / LVDT control
- Z 축 이동거리 : 9.1 mm (360 mil)
- 초음파 시스템 : High Q 60 kHz (or 63 kHz) transducer PLL ultrasonic generator Separate 1st and 2nd Bond Control
- 초음파 파워 : 1.3 W to 2.5 W
- 본딩 시간 : Ball bonding 10-100 msec
- 본딩 파워
Force coil 10 -160grams Counterweight to 50 grams
Sperate 1st and 2nd Bond Controls
- 와이어 절단 : Clamp tear
- 운영 모드 : Semi-Auto and Manual Z
- 볼 형성 시스템 : Negative E.F.O
- 볼 미형성 탐지 시스템 : Indication and auto-stop for 'Open' and 'Short' Error
- 온도조절 : Up to 250℃ ± 0.5℃
- 와이어 직경 범위 : Gold wire 18 to 76 ㎛
2) Wedge Type Wire Bonder
- 본딩 영역 : 152 ×152 mm (6" x 6")
- 트렌스듀서 깊이 : 143 mm (5.6")
- 테이블 총 이동영역 : 140 mm (5.5")
- 세부 테이블 이동영역 : 14 mm (0.55")
- Mouse 대 Table 움짐임 비율 : 6:1
- Z 축 조정 시스템 : DC servo / LVDT control
- Z 축 이동거리 : 9.1 mm (360 mil)
- 초음파 시스템 : High Q 60 kHz (or 63 kHz) transducer PLL
  • 제작사 Kulicke & Soffa
  • 모델명 K&S 4524
  • 도입연도 2007-03-05
  • 용도 와이어 본딩