? Wafer size : 2 inch x 6장
? 증착물질 : GaN, InGaN, AlGaN, AlN, BN 등의 nitride계 화합물 반도체
? 박막의 두께 균일도 : 2% 이내
? 성장 방법 : MO source와 암모니아를 이용하여 약 1300도 이하에서 성장
? Susceptor (chamber 내 홀더) : 0 ~ 200 RPM 회전
- Emissivity corrected pyrometry at 950nm
? Scurbber
- 용도 : Toxic gas 처리 장치
- 약 650도에서 Burn 방식으로 처리
? H2 purifier system
- 용도 : 초고순도 수소 정제기 시스템
- Getter filter를 이용한 1차, 2차 수소 정제기와 PD cell을 이용한 3차 수소 정제기로 구성
- 99.9999% 이상의 수소 순도 유지
- Hygrometer : 약 ?90도 이하 유지